在选择基板材料时，一般会选择热导率高的材料作为基板，对这些材料的等效热阻进行计算、对比，进而选择出对大功率LED散热更加有利的材料。让我们来看看以下几种基板材料的性能对比吧。

　　氧化铍基板

　　氧化铍是具有高硬度和强度的优异的热导体，氧化基板的导热率是氧化铝基板的十几倍，适用于大功率电路，而且其介电常数又低，还可用于高频电路。但其成本较高。

　　氮化铝基板

　　氮化铝和氧化铝不一样，在自然界没有天然形成的。因此，需要人工制造氮化铝，氮化铝的价格要比氧化铝要贵。它突出的优良性能是具有和氧化铍一样的热传导性，以及良好的电绝缘性能、介电性能。相对于氧化铝来说，绝缘电阻、绝缘耐压更高些，介电常数更低些，特别是氮化铝的热导率是氧化铝的10倍以上，CTE与硅片相匹配。氮化铝属于既具有良好的导热性同时又具有良好的电绝缘性能的少数的几种材料之一。

　　陶瓷基板

　　在实用的陶瓷基板材料中，氧化铝价格较低，从机械强度、绝缘性、导热性、耐热性、耐热冲击性、化学稳定性等方面考虑，其综合性能最好，作为基板材料使用最多。氧化铝陶瓷的玻璃成分一般由二氧化硅和其他氧化物组成，玻璃含量可有很高变化到很低，由于玻璃的导热性很差，因此，玻璃含量高的陶瓷导热性在制造高密度、大功率电路时必须予以个别注意。

　　SiC基板

　　SiC是强共价键化合物，硬度仅次于金刚石，而且其具有优良的耐磨性、耐药品性。高纯度单晶体的导热率也仅次于金刚石。与其他材料相比，其热扩散系数很大，甚至比铜还大，而且其热膨胀系数与硅接近。室温下，其热导率比铝还高，可达氧化铝基板的20倍以上，但其热导率会随温度的升高明显下降。与氧化铝相比，其介电常数高，而且它的绝缘耐压差。

　　AlSiC基板

　　SiC颗粒作为增强材料具有性能优异、成本低廉的优点，其CTE为，与Si的CTE最为接近，热导率

　　为80-170W/(mK),弹性模量达450GPa,密度为3.2g/;Al作为基板材料,具有高导热(170-220 W/(mK))、低密度(279g/)、价格低廉和易于加工等优点，其缺点是CTE较高。但二者形成复合材料后，却能发挥出A1和各自的优点，有克服了各自的缺点，所以能表现出综合的优异性能。

　　AlSiC的热导率约为可伐合金和氧化铝的10倍，与Si、Cu-W相当。AlSiC的CTE与相近，而且，的CTE可以通过的加入量来调节，从而可获得精确的热膨胀系数匹配，使相邻材料界面应力降到最小，就可以将大功率的芯片直接安装到基板上，而不用担心他们的失配应力问题。