亿胜盈科MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。

　　亿胜盈科MGF4964BL-01特征：

　　f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)

　　f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)

　　亿胜盈科MGF4964BL-01应用：

　　c 至K波段低噪声放大器

　　亿胜盈科MGF4964BL-01质量等级：

　　GG

　　亿胜盈科MGF4964BL-01偏置条件：

　　VDS=2V，内径=10mA

　　亿胜盈科MGF4964BL-01包装信息：

　　磁带和卷轴 4000 个/卷轴

　　通过无铅认证：

　　亿胜盈科MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。

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