Si24R2E是针对有源RFID市场设计的低功耗、高性能的2.4GHz标签系统的SoC单芯片，集成嵌入式2.4GHz无线射频发射器模块、128次可编程NVM存储器模块以及自动发射控制器模块等。

　　Si24R2E采用GFSK/FSK数字调制与解调技术。数据传输速率可配置，支持2Mbps、1Mbps和250Kbps三种数据速率。最高发射功率+7dBm，芯片输出功率可调节，可根据实际应用配置合适的输出功率，节省系统功耗。

　　Si24R2E针对低功耗应用场合进行了特别优化，在关断模式下，所有寄存器值与FIFO 值保持不变，关断电流为700nA;在待机模式下，时钟保持工作，工作电流为15uA，并且可以在最长130uS 时间内开始数据的发射。Si24R2E 的平均功耗非常低，特别适合纽扣电池供电的应用系统。

　　Si24R2E内部集成可编程NVM存储器，一键生成软件，无须用户编程。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，支持NVM加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。

　　Si24R2E 具有非常低的系统应用成本，不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可组成一个有源RFID无线数据发射系统。

　　Si24R2E的外围电路简单且不需要编程，在实际生产中，能保证产品的一致性，成品率更高，便于用户大量生产，解决了用户在标签研发和生产上的难题。

　　主要特性：

　　1、工作在 2.4GHz ISM 频段

　　2、内置 128 次可编程 NVM 存储器

　　3、具有超低功耗自动发射功能

　　4、具有低电压自动报警功能

　　5、具有防拆卸报警功能

　　6、集成防冲突通信机制

　　7、内置 3KHz RCOSC 和硬件 Watchdog

　　8、3.3V 编程电压

　　9、调制方式：GFSK

　　10、数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps

　　11、超低关断电流：700nA

　　12、超低待机电流：15uA

　　13、快速启动时间： ≤ 130uS

　　14、宽电源电压范围：1.9-3.6V

　　15、宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V

　　16、低成本晶振：16MHz±60ppm

　　17、最高发射功率：7dBm

　　18、发射电流(2Mbps): 13.5mA(0dBm)

　　19、最高 10MHz 四线 SPI 接口

　　20、发射数据硬件中断输出  QFN20 封装

　　21、兼容 Si24R1 和 Si24R2 发射功能

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