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采用高强度的钕磁铁,环轭以纯铁作为磁性材料,更加强化了线圈间隙部的集中磁场,飞跃性地提高了磁性能量。
线圈和接点端子采用PCOCC材料,因为电流传送方向上不产生结晶粒界,可以享受高纯度的信号传送。
左右通道采用各自独立的圆筒形配置MC动圈线圈。构造上为左右独立电流感应,具有出色的高分离特性。
整体结构坚固稳定,以精密坚固的铝合金做为基座,构造设计上采用硬质树脂压倒密封,此强化结构能有效提高信噪比。
AT-F3/III 技术指标 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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