在显示技术不断迭代升级的当下，Micro LED作为极具潜力的新型显示技术，正逐渐成为行业关注的焦点。它凭借高亮度、低功耗、高对比度、高稳定性、快响应速度以及轻薄化等显著优势，被业界誉为“终极显示器”。Micro LED属于跨领域的产业，深度融合了新型显示、LED半导体、精密设备、光电工程、机械制造等多元技术，是“芯屏融合”的代表型产业。在数字化时代，显示器作为人机交互的核心窗口，已深度融入日常办公与娱乐场景，而Micro LED技术的发展，更是为提升人机交互体验开辟了新路径。然而，Micro LED技术的产业化进程却面临着严峻挑战，其中巨量转移技术作为一种前所未有的工艺制程，因其技术难度高，需要克服难题多，成为制约Micro LED技术规模化发展的关键瓶颈。本文将深入剖析巨量转移技术，以期为推动Micro LED技术的产业化进程提供参考。

　　巨量转移技术介绍

　　巨量转移技术在Micro LED显示技术中扮演着至关重要的角色，其目的在于将成千上万微米级别的LED芯片从生长衬底高效、精确地转移到目标驱动背板上，以构建高密度、高质量的显示阵列。这一过程涉及到数十万乃至数上千万颗LED芯片的转移。由于Micro LED的尺寸(微米级)远小于其他LED的尺寸(毫米级以上)，并且转移过程不仅要求极高的位置精度和转移效率，还需保证转移过程中芯片的完整性和电学性能不受损伤，因此其转移过程具有极高的挑战性。

　　经过众多科研机构的广泛验证后，印章式巨量转移技术(又称为范德华力法)以其高精度和成熟的产业链等特点，在Micro LED芯片的转移过程中提供了稳定性和可靠性(技术流程如图1所示)。这项技术通过调控弹性印章与Micro LED芯片界面的范德华力，实现芯片的拾取(Pick)和放置(Place)，能够在较短时间内稳定的转移批量芯片，显著推动了Micro LED技术的发展。但对于Micro LED技术产业化需求而言，印章式巨量转移技术也存在不足之处。首当其冲的问题就是转移效率及转移成本优化空间有限，无法满足Micro LED产品的商业化需求。

　　图1 Micro LED 印章式巨量转移技术流程图

　　印章式巨量转移技术主要是用类似印章的胶材去拾取Micro LED芯片，而该印章目前常用的材料称为PDMS，它是一种高分子胶材，可以通过改变其硬度和黏性来调整芯片拾取的良率。印章式巨量转移技术具备许多优势，如高良率(转移良率可达约>99.99%)、高稳定性、具备可行性等优点，但对于Micro LED技术产业化需求而言，印章式巨量转移技术也存在不足之处，最突出的问题就是转移成本过高、转移效率偏低(300-500万颗芯片/每小时)，且优化空间有限，只能停留在制作样品的阶段，无法满足Micro LED产品的商业化需求。

　　新颖的激光巨量转移技术

　　为解决上述问题，实现Micro LED产业化突破，业界将目光聚焦在激光制程。由于激光巨量转移是属于非接触式的方法，有别于传统的印章以接触式来拾取与放置芯片，整体转移效率大幅提升。要实现Micro LED产业化，巨量转移需达到转移良率约99.9999%，转移效率>3,600万颗芯片/小时。因此业界纷纷预估，在2025-2026年之间，巨量转移技术将会由传统的印章式技术转变成激光技术，才足以支撑量产标准(如图2所示)。

　　表1 印章式巨转技术和激光式转移技术的比较表

　　图2 Micro LED巨量转移技术未来出货量预测图

　　一般而言，激光巨量转移技术大致上可分为两大类，其一称为激光间接转移技术 (又称“固体激光”)，现在普遍式使用355nm波长的激光器来制作。所谓的间接激光转移技术即是先将Micro LED芯片与另一片带有光解胶的晶圆贴合，再使用激光剥离技术将原有的蓝宝石衬底剥离下来，将芯片转移至光解胶之上，此时再利用固体激光将光解胶上的芯片转移至暂时基板上，最后再与背板进行键合即完成巨量转移步骤(如图3所示)。目前激光间接转移技术的转移良率为>99.99%，转移效率约为2,000万颗芯片/小时。虽然效率大幅提升，但仍然无法有效的实现产业化。

　　图3 激光间接转移技术的详细流程图

　　为了实现最终的巨量转移技术，经过多方调研后，提出了“激光直接转移技术”。该技术是通过准分子激光(248nm波长)解离晶圆上芯片(COW：Chip on wafer)的氮化镓层(U-GaN)，此时氮化镓会被分解为氮气和金属镓，随后芯片会直接落在背板上形成巨量转移。这种直接将芯片转移至背板上的技术，不仅转移速度快、良率高，也不需要芯片弱化结构等，被业界普遍认为是最终的巨量转移技术(如图4和图5所示)。此转移技术经过初步预估，转移良率可达99.99-99.999%，转移效率为>3,600万颗芯片/小时，接近量产水平。

　　图4 激光直接转移原理示意图 图5 激光直接转移技术的流程图

　　由于激光直接转移技术不需要任何芯片翻转的步骤，且用于激光直接转移的芯片可以预先进行检测，只针对通过外观光学检测的芯片进行转移，可以降低缺陷芯片的使用率，减少后段芯片修补的比例，从而大幅节省制程成本，因此激光直接转移技术被认为是Micro LED芯片巨量转移的终极技术。目前，重庆康佳光电科技有限公司(以下简称“重庆康佳光电”)在该技术方向已进行深入布局，实现了RGB三色芯片的转移。

　　重庆康佳光电最新技术进展

　　重庆康佳光电作为康佳集团在MLED领域的重要一环，长期致力于Micro LED前沿技术的研发、生产及销售，依托“芯片+巨转”两大核心技术，已构建了从MLED外延芯片、巨量转移、封装、模组到显示屏的完整产业链布局，实现了RGB外延片、Micro LED芯片、Mini直显的自主研发与量产，陆续推出多项Micro LED产品，如AR高分辨率显示屏、MIP(Micro LED in Package)、Micro LED手表、COB全系列直显屏等。

　　重庆康佳光电在外延、芯片领域经过多年的技术积累，无论芯片的波长均匀性、光电特性、亮度，皆达到行业领先水平。而在巨量转移领域，重庆康佳光电更是行业翘楚，采用激光直接转移技术，经过第三方单位实际验证后，转移良率达到99.996%，转移速度达到4,700万颗芯片/小时，并且搭配AI人工智能算法，修补后可实现良率100%，推动Micro LED产业化迈出坚实步伐。

　　图6 重庆康佳光电巨量转移后100%良率的完美显示屏

　　在显示技术迭代的浪潮中，Micro LED 技术的崛起为中国显示产业带来了前所未有的战略机遇。公开数据显示，2012年，中国大陆显示面板产能达到2,220万平方米，首次超过日本，占全球总体产能的10%;2017年，中国大陆显示面板产能规模攀升至9,440万平方米，以34%的全球占比成功超越韩国，跃居全球显示面板出货量首位。截至目前，中国大陆显示面板产能已占据全球产能的半壁江山。这一跨越式发展，不仅标志着中国显示产业成功打破日韩企业的长期垄断格局，更折射出我国在显示技术领域从“技术依赖”到“自主创新”的质变飞跃。Micro LED产业的发展，或将成为中国显示企业实现从“跟跑”到“领跑”跨越的关键赛道，推动我国在全球显示技术竞争格局中占据更有利的战略地位。